LPC3220FET296/01,5
![](/img-new/pdf.png)
LPC3220FET296/01,5 datasheet
-
МаркировкаLPC3220FET296/01,5
-
ПроизводительNXP Semiconductors
-
ОписаниеNXP Semiconductors LPC3220FET296/01,5 3rd Party Development Tools: MDK-ARM, RL-ARM, ULINK2 Connectivity: EBI/EMI, I??C, IrDA, Microwire, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB OTG Core: ARM926EJ-S Core Processor: ARM9 Core Size: 16/32-Bit Data Bus Width: 32 bit Data Converters: A/D 3x10b Data Ram Size: 128 KB Eeprom Size: - ID_COMPONENTS: 1957643 Interface Type: EMC Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant Maximum Clock Frequency: 266 MHz Maximum Operating Temperature: + 85 C Minimum Operating Temperature: - 40 C Mounting Style: SMD/SMT Number Of I /o: 51 Number Of Timers: 6 On-chip Adc: 10 bit, 3 Channel Operating Supply Voltage: 1.31 V to 1.39 V Operating Temperature: -40?°C ~ 85?°C Oscillator Type: Internal Package / Case: 296-TFBGA Peripherals: DMA, I??S, Motor Control PWM, PWM, WDT Processor Series: LPC32 Program Memory Size: - Program Memory Type: ROMless Ram Size: 128K x 8 Series: LPC32x0 Speed: 266MHz Voltage - Supply (vcc/vdd): 0.9 V ~ 3.6 V Product Category: ARM Microcontrollers - MCU RoHS: yes Data RAM Size: 128 KB On-Chip ADC: Yes A/D Bit Size: 10 bit A/D Channels Available: 3 Number of Timers: 6 Factory Pack Quantity: 126 Other Names: 568-4965, 935290763551
-
Количество страниц16 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>В условиях роста высокопроизводительных вычислений, вызванного широким внедрением искусственного интеллекта (ИИ) в различные вычислительные системы, центры обработки данных и пограничные устройства, растет спрос на энергоэффективные компоненты.</p> <p>В условиях роста высокопроизводительных вычислений, вызванного широким внедрением искусственного интеллекта (ИИ) в различные вычислительные системы, центры обработки данных и пограничные устройства, растет спрос на энергоэффективные компоненты.</p>](/images/cache/8b5f1c13ce9fd0617a2a53e7394dc0f0.jpg)
23.08.2024
![<p>Компания Cambridge GaN Devices (CGD) представила два новых корпуса для серии ICeGaN силовых ИС на основе нитрида галлия (GaN), разработанных для улучшения тепловых характеристик и упрощения процессов проверки. Эти корпуса, являющиеся разновидностями надежных корпусов типа DFN, отличаются повышенной прочностью и надежностью.</p> <p>Компания Cambridge GaN Devices (CGD) представила два новых корпуса для серии ICeGaN силовых ИС на основе нитрида галлия (GaN), разработанных для улучшения тепловых характеристик и упрощения процессов проверки. Эти корпуса, являющиеся разновидностями надежных корпусов типа DFN, отличаются повышенной прочностью и надежностью.</p>](/images/cache/8a2cc64274023d12d1e64370f9be6525.jpg)
22.08.2024
![<p>Критически важные для инфраструктуры коммуникационные сети зависят от точной и надежной синхронизации, поэтому устаревшие системы неизбежно нуждаются в обновлении до современных, устойчивых архитектур.</p> <p>Критически важные для инфраструктуры коммуникационные сети зависят от точной и надежной синхронизации, поэтому устаревшие системы неизбежно нуждаются в обновлении до современных, устойчивых архитектур.</p>](/images/cache/0a905903e17cfd440a89660007bea942.jpg)
21.08.2024